广州某光电器件电源芯片激光加工制作厂，晶圆激光加工过程中中导致含硅、氟的特异电镀电镀废水，制作外理企业规模1200吨/日。电镀电镀废水的成分繁杂，包含有nm级硅粒子及盐酸，以往外理的方式不可符合标准。 电镀废水组成及源 主要的污染源物 ：电解质溶液硅（100-500nm颗粒直径）、氟亚铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 源于工步 ：晶圆刻蚀污水（45%）、CMP生物学机械化打蜡 污水（40%）、机械清扫冲洗水（15%） 处里加工过程程序 自主创新主要采用"化学式沉垫+特总膜脱离"的技术路经： 钙盐沉垫 ：加药系统氯化钙祛除氟阴离子（形成CaF2沉积） 水解酸化池反应迟钝 ：和好二沉池剂进行胶体溶液硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm孔经膜挤占微细粒状 反固化体统 ：脱盐率>98%，出售率75% 蒸馏心得 ：浓水段实现目标氟化物零污染物 进而效用 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（如果低于政府七级规范10mg/L） 硅含碳量：<5mg/L 水产品循环率：70%采用散热塔保湿 危险废弃物减轻：蒸发器残留量较传统性新工艺才能减少60%